燒結銀助力800G光模塊助推元宇宙

燒結銀助力800G光模塊助推元宇宙

現在光模塊生產廠商將800G光模塊列為重點研發對象，光模塊在提供強大功能的同時，其自身的功耗以及與之相關的發熱量也急劇增加。加上空間的緊湊性、可多次插拔的要求，以及可控的溫度管理，給光模塊的散熱帶來了挑戰。

為了確保光模塊的散熱問題，除了整體的設計工藝外，導熱材料的選取也是極其重要的因素。眾所周知，光模塊的核心器件為光芯片，而當前光模塊處于飛速發展的階段，隨著傳輸速率越來越高，要保證光模塊在一定傳輸距離及諸多惡劣工況條件下仍保持穩定工作性能，光芯片就需要工作在一定的溫度范圍內。需要使用SHAREX可壓縮的高導熱材料，將熱量快速的傳導到外殼上。

另一個發熱量大的部位，光器件（TOSA和ROSA）根據不同的封裝方式也需要使用SHAREX低出油低熱阻的導熱硅膠片和導熱凝膠，避免長期工作狀態下硅油溢出導致光模塊性能下降。此外，為了使熱量能夠快速從光模塊外殼傳導至籠子，可以在插拔的位置選用導熱復合材料（相變材料加PI膜復合）。

而且800g光模塊多數采用電吸收調制激光器（EML激光器），此種激光器的特點為對溫度極其敏感，只能在*的工作溫度范圍內才能發揮其有效的性能，因此此種激光器通常需要加熱電制冷器來控制其溫度。

800G光模塊緊湊的結構設計，不斷增大的激光器和驅動芯片功率，對散熱提出了更高的挑戰。電子互聯材料是連接半導體晶體管和元器件的關鍵材料，起到導電和導熱的作用，影響元器件電路導通、功能實現及穩定性。

SHAREX燒結銀技術通過中高溫使納米銀表面原子互相擴散，從而形成致密結構的過程，也稱之為“低溫燒結技術”。AS9200和AS9300加入納米級銀顆粒的低溫燒結技術大大提升了導熱及導電性能，可滿足對于第三代半導體高功率器件的電子互聯應用。

善仁新材為三代半芯片粘接提供了三種無鉛(LEAD FREE)的替代方案，分別為無壓半燒結納米銀膠，無壓全燒結納米銀膠和有壓燒結銀三個產品系列，三打產品系列全部適用于高功率密度半導體封裝, 并且產品全部符合RoHS要求。

1 導熱系數范圍：25W/mK-270W/ mK不等；

2 在銀、銅和鎳鈀金引線框架的封裝內電阻更低的熱阻（Rth）-0.5K/W；

3 無需高溫壓力，在160度至240度溫度范圍下低溫燒結并且粘接力穩定。在銀、銅、鎳鈀金、金等多種材質的界面下適用更寬泛的芯片粘結尺寸：從1*1mm至90*90mm（Die Size）不等；

4 高粘結強度：根據材質和燒結條件不同，剪切強度從3-15公斤不等。